Allgemeine Informationen
Die einzigartige Silicon-on-Sapphire Sensortechnologie sorgt für herausragende Leistung und Stabilität über einen weiten Temperaturbereich. Der fortschrittliche Aufnehmer basiert auf piezoresistiven Dehnungsmessstreifen, die epitaxial auf der Oberfläche einer Saphirmembran gezüchtet werden und eine zusammenhängende Kristallstruktur bilden. Dieses Saphirelement wird molekular an eine Submembran aus einer Titanlegierung gebunden. Dadurch widersteht der Aufnehmer selbst hohen Überdrücken und verfügt über ausgezeichneten Korrosionsschutz. Der fertige Aufnehmer weist nahezu keine Hysterese auf und ist äußerst langzeitstabil. Dank hervorragender Isolierungseigenschaften ermöglicht das Saphirsubstrat den Einsatz in großen Temperaturspannen ohne Leistungseinbußen.
Eigenschaften
- Silicon-on-Sapphire Sensortechnologie
- Druckbereiche zwischen 0–1 bar und 0–1500 bar
- 10 mV/V typisches Ausgangssignal
- 0,1% Genauigkeit (NLHR)
- Hohe Umgebungs- und Medientemperatur von bis zu 200°C
- Alle medienberührenden Teile aus Titanlegierung
- Kabelausgang oder elektrischer Anschluss MIL-C-26482
- Hohe chemische Verträglichkeit für diverse Anwendungen
- Große Auswahl an elektrischen Anschlüssen und Prozessanschlüssen
Anwendungsgebiete
- Einsatzgebiete mit erhöhten Umgebungstemperaturen von bis zu 200°C
